maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMBJ17AE3
Référence fabricant | MASMBJ17AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MASMBJ17AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMBJ17AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 17V |
Tension - Panne (Min) | 18.9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 27.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 21.7A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMBJ17AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMBJ17AE3-FT |
MSMBJ33CA
Microsemi Corporation
MSMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ36A
Microsemi Corporation
MSMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ36CA
Microsemi Corporation
MSMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ40AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ40CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ43CA
Microsemi Corporation
MSMBJ43CAE3
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel