maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMBJ10AE3
Référence fabricant | MASMBJ10AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MASMBJ10AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMBJ10AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 35.3A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMBJ10AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMBJ10AE3-FT |
SMBJ8.0CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.0E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ8.5E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ9.0E3/TR13
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation