maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE8.2AE3
Référence fabricant | MAP6KE8.2AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP6KE8.2AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE8.2AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.02V |
Tension - Panne (Min) | 7.79V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 50A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE8.2AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE8.2AE3-FT |
MAP6KE130CA
Microsemi Corporation
MAP6KE130CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE13A
Microsemi Corporation
MAP6KE13AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE13CA
Microsemi Corporation
MAP6KE13CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE150A
Microsemi Corporation
MAP6KE150AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE150CA
Microsemi Corporation
MAP6KE150CAE3
Microsemi Corporation
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
10CL080YF484I7G
Intel
EP3SL50F484I4LN
Intel
EP3CLS100U484C7N
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I4SGES
Intel