maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE8.2AE3
Référence fabricant | MAP6KE8.2AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP6KE8.2AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE8.2AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.02V |
Tension - Panne (Min) | 7.79V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 50A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE8.2AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE8.2AE3-FT |
MAP6KE130CA
Microsemi Corporation
MAP6KE130CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE13A
Microsemi Corporation
MAP6KE13AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE13CA
Microsemi Corporation
MAP6KE13CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE150A
Microsemi Corporation
MAP6KE150AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE150CA
Microsemi Corporation
MAP6KE150CAE3
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel