maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE130AE3
Référence fabricant | MAP6KE130AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MAP6KE130AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE130AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 111V |
Tension - Panne (Min) | 124V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 179V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.3A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE130AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE130AE3-FT |
MALCE110A
Microsemi Corporation
MALCE110AE3
Microsemi Corporation
MALCE11A
Microsemi Corporation
MALCE11AE3
Microsemi Corporation
MALCE120A
Microsemi Corporation
MALCE120AE3
Microsemi Corporation
MALCE12A
Microsemi Corporation
MALCE12AE3
Microsemi Corporation
MALCE130A
Microsemi Corporation
MALCE130AE3
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29C3N
Intel
10M08DFV81C8G
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation