maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP4KE6.8CAE3
Référence fabricant | MAP4KE6.8CAE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP4KE6.8CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP4KE6.8CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.8V |
Tension - Panne (Min) | 6.45V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 10.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 38A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP4KE6.8CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP4KE6.8CAE3-FT |
MAP4KE15A
Microsemi Corporation
MAP4KE15AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE15CA
Microsemi Corporation
MAP4KE15CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE160A
Microsemi Corporation
MAP4KE160AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE160CA
Microsemi Corporation
MAP4KE160CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE16A
Microsemi Corporation
MAP4KE16AE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel