maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP4KE33AE3
Référence fabricant | MAP4KE33AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP4KE33AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP4KE33AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 28.2V |
Tension - Panne (Min) | 31.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 45.7V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 9A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP4KE33AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP4KE33AE3-FT |
MXP4KE39CA
Microsemi Corporation
MXP4KE9.1A
Microsemi Corporation
MAP4KE100A
Microsemi Corporation
MAP4KE100AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE100CA
Microsemi Corporation
MAP4KE100CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE10A
Microsemi Corporation
MAP4KE10AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE10CA
Microsemi Corporation
MAP4KE10CAE3
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel