maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP4KE180AE3
Référence fabricant | MAP4KE180AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MAP4KE180AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP4KE180AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 154V |
Tension - Panne (Min) | 171V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 246V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 1.6A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP4KE180AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP4KE180AE3-FT |
MPLAD6.5KP51AE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP51CA
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP51CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP54A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP54AE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP54CA
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP54CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP58A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP58AE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP58CA
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation