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Référence fabricant | MAGX-001214-500L0S |
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Numéro de pièce future | FT-MAGX-001214-500L0S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MAGX-001214-500L0S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | HEMT |
La fréquence | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
Gain | 19.22dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 18.1A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 400mA |
Puissance - sortie | 500W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAGX-001214-500L0S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAGX-001214-500L0S-FT |
ON5274,115
NXP USA Inc.
ON5275,135
NXP USA Inc.
ON5407,135
NXP USA Inc.
BLF542,112
Ampleon USA Inc.
BLF544,112
Ampleon USA Inc.
BLF246B,112
Ampleon USA Inc.
BLF145,112
Ampleon USA Inc.
BLF175,112
Ampleon USA Inc.
BLF242,112
Ampleon USA Inc.
BLF244,112
Ampleon USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel