maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MA6X12900L
Référence fabricant | MA6X12900L |
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Numéro de pièce future | FT-MA6X12900L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA6X12900L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | MINI6-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA6X12900L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA6X12900L-FT |
FST20150E3
Microsemi Corporation
FST31180
Microsemi Corporation
FST31180E3
Microsemi Corporation
MBR10100CT-LJ
Diodes Incorporated
MBR1030CT
Diodes Incorporated
MBR1035CT
Diodes Incorporated
MBR1040CT
Diodes Incorporated
MBR1050CT
Diodes Incorporated
MBR1060CT-I
Diodes Incorporated
MBR1070CT
Diodes Incorporated
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel