maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MA6X12900L
Référence fabricant | MA6X12900L |
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Numéro de pièce future | FT-MA6X12900L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA6X12900L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | MINI6-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA6X12900L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA6X12900L-FT |
FST20150E3
Microsemi Corporation
FST31180
Microsemi Corporation
FST31180E3
Microsemi Corporation
MBR10100CT-LJ
Diodes Incorporated
MBR1030CT
Diodes Incorporated
MBR1035CT
Diodes Incorporated
MBR1040CT
Diodes Incorporated
MBR1050CT
Diodes Incorporated
MBR1060CT-I
Diodes Incorporated
MBR1070CT
Diodes Incorporated
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel