maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4P604-131
Référence fabricant | MA4P604-131 |
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Numéro de pièce future | FT-MA4P604-131 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4P604-131 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1000V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 100V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P604-131 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4P604-131-FT |
HSCH-5330
Broadcom Limited
HSCH-5331
Broadcom Limited
HSCH-5332
Broadcom Limited
HSCH-5340
Broadcom Limited
HSCH-5512
Broadcom Limited
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel