maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4P506-131
Référence fabricant | MA4P506-131 |
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Numéro de pièce future | FT-MA4P506-131 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4P506-131 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 500V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.7pF @ 100V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 300 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P506-131 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4P506-131-FT |
HSCH-5314
Broadcom Limited
HSCH-5330
Broadcom Limited
HSCH-5331
Broadcom Limited
HSCH-5332
Broadcom Limited
HSCH-5340
Broadcom Limited
HSCH-5512
Broadcom Limited
HSCH-5531
Broadcom Limited
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Broadcom Limited
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Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XCKU035-L1FBVA900I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP1S20F484C7
Intel
LFXP3C-3Q208C
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LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
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10AX090N3F40E2SG
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5AGXBB1D4F31C4N
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