maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4P4002B-402
Référence fabricant | MA4P4002B-402 |
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Numéro de pièce future | FT-MA4P4002B-402 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4P4002B-402 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Résistance @ Si, F | 500 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P4002B-402 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4P4002B-402-FT |
HSCH-5512
Broadcom Limited
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-2FGG256I
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A3P1000-PQ208M
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LFE5U-85F-7BG554I
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10M16DAF256I7G
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5SGXMA7N1F40C1N
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5SGXEA5H2F35I2L
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
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EP2S130F1020I4N
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