maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MA3X717E0L
Référence fabricant | MA3X717E0L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MA3X717E0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA3X717E0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 30mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA3X717E0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA3X717E0L-FT |
MMBD1504A
ON Semiconductor
MMBD4148CC
ON Semiconductor
BAS70-06-TP
Micro Commercial Co
BAT64-05-TP
Micro Commercial Co
1SS181-TP
Micro Commercial Co
1SS184-TP
Micro Commercial Co
1SS226-TP
Micro Commercial Co
BAS21C-TP
Micro Commercial Co
1SS392,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAT54C,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel