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Référence fabricant | MA2S1010GL |
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Numéro de pièce future | FT-MA2S1010GL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA2S1010GL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 70mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 250V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SSMini2-F4 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2S1010GL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA2S1010GL-FT |
RF505B6STL
Rohm Semiconductor
RF505BM6STL
Rohm Semiconductor
RFN10B3STL
Rohm Semiconductor
RFN3BM2STL
Rohm Semiconductor
RFN3BM6STL
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RFN5B6STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM2STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM3STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM6STL
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RB531ES-30T15R
Rohm Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel