maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA2JP0200L
Référence fabricant | MA2JP0200L |
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Numéro de pièce future | FT-MA2JP0200L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA2JP0200L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 60V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 2 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-90, SOD-323F |
Package d'appareils du fournisseur | SMini2-F1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2JP0200L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA2JP0200L-FT |
HSMS-282C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285B-BLKG
Broadcom Limited
LCMXO2280C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M7A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC256-2X
Intel
10M25SCE144I7G
Intel
5SGXEB6R3F43I3N
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
XC7VX980T-L2FFG1926E
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel