maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M95512-DRDW6TP
Référence fabricant | M95512-DRDW6TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M95512-DRDW6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M95512-DRDW6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 16MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M95512-DRDW6TP-FT |
CAT24C256YI-G
ON Semiconductor
FT24C512A-ETR-T
Fremont Micro Devices Ltd
AT25320B-XHL-B
Microchip Technology
AT24C16C-XHM-B
Microchip Technology
CAT24C04YI-G
ON Semiconductor
CAT24C08YI-G
ON Semiconductor
AT24CM01-XHM-B
Microchip Technology
CAT93C46YI-G
ON Semiconductor
AT24C256C-XHL-B
Microchip Technology
AT25040B-XHL-T
Microchip Technology
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel