maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M95512-DRDW3TP/K
Référence fabricant | M95512-DRDW3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M95512-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRDW3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 16MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M95512-DRDW3TP/K-FT |
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A11BF840F TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel