maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M95512-DRDW3TP/K
Référence fabricant | M95512-DRDW3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M95512-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRDW3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 16MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M95512-DRDW3TP/K-FT |
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
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Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
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Intel