maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M59DR032EA10ZB6
Référence fabricant | M59DR032EA10ZB6 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M59DR032EA10ZB6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M59DR032EA10ZB6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 32Mb (2M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 2.2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (7x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M59DR032EA10ZB6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M59DR032EA10ZB6-FT |
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW016N5G
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation