maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M58WR064KT7AZB6E
Référence fabricant | M58WR064KT7AZB6E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M58WR064KT7AZB6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M58WR064KT7AZB6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | 66MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 56-VFBGA (7.7x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR064KT7AZB6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M58WR064KT7AZB6E-FT |
M50FLW040BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080AK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080AK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080AN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5TG TR
Micron Technology Inc.