maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / M50100TB1200
Référence fabricant | M50100TB1200 |
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Numéro de pièce future | FT-M50100TB1200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M50100TB1200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100TB1200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M50100TB1200-FT |
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
GBJ1508-F
Diodes Incorporated
GBJ606-F
Diodes Incorporated
GBJ608-F
Diodes Incorporated
GBJ1502-F
Diodes Incorporated
GBJ610-F
Diodes Incorporated
GBJ1008-F
Diodes Incorporated
GBJ8005
Diodes Incorporated
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation