maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W800FB70N3E
Référence fabricant | M29W800FB70N3E |
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Numéro de pièce future | FT-M29W800FB70N3E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W800FB70N3E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800FB70N3E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W800FB70N3E-FT |
M29W128GL7AZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL90N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GSH70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GSL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6
STMicroelectronics
M29W160EB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W160EB7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB7AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB80ZA3SE
Micron Technology Inc.