maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W640GB70ZS6F TR
Référence fabricant | M29W640GB70ZS6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M29W640GB70ZS6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W640GB70ZS6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70ZS6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W640GB70ZS6F TR-FT |
M29W040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K1
STMicroelectronics
M29W040B90K1E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K6
Micron Technology Inc.
M29W040B90N1
Micron Technology Inc.
M29W064FB6AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W064FB6AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W064FB70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W064FT6AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W064FT6AZA6F TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel