maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W640GB70ZS6E
Référence fabricant | M29W640GB70ZS6E |
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Numéro de pièce future | FT-M29W640GB70ZS6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W640GB70ZS6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70ZS6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W640GB70ZS6E-FT |
M29W040B55N1
Micron Technology Inc.
M29W040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K1
STMicroelectronics
M29W040B90K1E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K6
Micron Technology Inc.
M29W040B90N1
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M29W064FB6AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W064FB6AZA6F TR
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M29W064FB70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W064FT6AZA6E
Micron Technology Inc.