maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W256GH7AZS6F TR
Référence fabricant | M29W256GH7AZS6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M29W256GH7AZS6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W256GH7AZS6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W256GH7AZS6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W256GH7AZS6F TR-FT |
M29F400FB55M3T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM62
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M32
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel