maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W200BB70N6E
Référence fabricant | M29W200BB70N6E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M29W200BB70N6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W200BB70N6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8, 128K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W200BB70N6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W200BB70N6E-FT |
MT29F8G16ADADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel