maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M28W640HCB70N6E
Référence fabricant | M28W640HCB70N6E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M28W640HCB70N6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M28W640HCB70N6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W640HCB70N6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M28W640HCB70N6E-FT |
MT29F1G01AAADDH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel