maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27W512-100K6TR
Référence fabricant | M27W512-100K6TR |
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Numéro de pièce future | FT-M27W512-100K6TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27W512-100K6TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - OTP |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-LCC (J-Lead) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-PLCC (11.35x13.89) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27W512-100K6TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27W512-100K6TR-FT |
LH28F320BJE-PBTL90
Sharp Microelectronics
LH28F320S3HNS-L11
Sharp Microelectronics
LH28F320S3HNS-ZM
Sharp Microelectronics
LH28F320S5HNS-L90
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LH28F320S5NS-L90
Sharp Microelectronics
LH28F320SKTD-ZR
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LH28F800BJE-PTTL90
Sharp Microelectronics
LH5116-10
Sharp Microelectronics
LH5116-10F
Sharp Microelectronics
LH5116NA-10
Sharp Microelectronics
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel