maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C801-120B1
Référence fabricant | M27C801-120B1 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C801-120B1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C801-120B1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - OTP |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C801-120B1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C801-120B1-FT |
71V321S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
CY7C131-15JC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C131-15JXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C131-15JXCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C131-15JXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C131-25JC
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel