maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C160-100F1
Référence fabricant | M27C160-100F1 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C160-100F1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C160-100F1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 42-CDIP Frit Seal with Window |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C160-100F1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C160-100F1-FT |
JR28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EBHB TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel