maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C160-100F1
Référence fabricant | M27C160-100F1 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C160-100F1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C160-100F1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 42-CDIP Frit Seal with Window |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C160-100F1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C160-100F1-FT |
JR28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EBHB TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel