maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C1001-12C6
Référence fabricant | M27C1001-12C6 |
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Numéro de pièce future | FT-M27C1001-12C6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C1001-12C6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - OTP |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-LCC (J-Lead) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-PLCC (11.35x13.89) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C1001-12C6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C1001-12C6-FT |
IS65WV1288DBLL-45HLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS65WV1288FBLL-45HLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS65WV1288FBLL-45TLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
JR28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel