maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M25P20S-VMN6TPB TR
Référence fabricant | M25P20S-VMN6TPB TR |
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Numéro de pièce future | FT-M25P20S-VMN6TPB TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M25P20S-VMN6TPB TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | 75MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M25P20S-VMN6TPB TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M25P20S-VMN6TPB TR-FT |
GD25VE40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS25CD010-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25CD010-JNLE-TR
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IS25CD025-JNLE
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IS25CD025-JNLE-TR
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IS25CD512-JNLE-TR
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IS25CQ032-JBLE
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