maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M24C02-DRDW3TP/K
Référence fabricant | M24C02-DRDW3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M24C02-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M24C02-DRDW3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | 450ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-DRDW3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24C02-DRDW3TP/K-FT |
MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel