maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M24C02-DRDW3TP/K
Référence fabricant | M24C02-DRDW3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M24C02-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M24C02-DRDW3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | 450ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-DRDW3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24C02-DRDW3TP/K-FT |
MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel