maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / M10H100HE3_A/P
Référence fabricant | M10H100HE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-M10H100HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
M10H100HE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M10H100HE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M10H100HE3_A/P-FT |
JANTXV1N3768R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3893
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JANTXV1N4148UB
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JANTXV1N4153-1
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JANTXV1N4153UR-1
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JANTXV1N5188
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XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
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LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
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EP20K100EQC208-2XN
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