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Référence fabricant | LTE-209 |
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Numéro de pièce future | FT-LTE-209 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LTE-209 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Infrared (IR) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Intensité de rayonnement (Ie) Min @ If | 1.38mW/sr @ 20mA |
Longueur d'onde | 940nm |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Angle de vue | 16° |
Orientation | Top View |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LTE-209 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LTE-209-FT |
CBM-120-UV-C14-J380-22
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J385-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J390-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J390-22
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-J395-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-K395-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-FA365-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-FA365-22
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-FB365-21
Luminus Devices Inc.
CBM-120-UV-C14-FB365-22
Luminus Devices Inc.
XC3S50-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FG484I
Microsemi Corporation
AT6005-2AC
Microchip Technology
EP20K400FC672-1XGZ
Intel
5SGTMC7K2F40C2N
Intel
5SGSED8N2F45C2LN
Intel
LFE2M20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel