maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / LSIC2SD120E30CC
Référence fabricant | LSIC2SD120E30CC |
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Numéro de pièce future | FT-LSIC2SD120E30CC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Gen2 |
LSIC2SD120E30CC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 44A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 15A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 920pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC2SD120E30CC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LSIC2SD120E30CC-FT |
R3000-AP
Micro Commercial Co
R3000-TP
Micro Commercial Co
R3000F-AP
Micro Commercial Co
R3000F-TP
Micro Commercial Co
R4000-AP
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R4000-TP
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R4000F-AP
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R4000F-TP
Micro Commercial Co
R5000-AP
Micro Commercial Co
R5000-TP
Micro Commercial Co
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel