maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / LS411660
Référence fabricant | LS411660 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-LS411660 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LS411660 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 600A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.19V @ 1800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40mA @ 1600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | POW-R-BLOK™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | POW-R-BLOK™ Module |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS411660 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LS411660-FT |
JANTXV1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3671A
Microsemi Corporation
JANTXV1N3671AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3673A
Microsemi Corporation
JANTXV1N3673AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3768
Microsemi Corporation
JANTXV1N3768R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3893
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel