maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LQW18AS18NG0ZD
Référence fabricant | LQW18AS18NG0ZD |
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Numéro de pièce future | FT-LQW18AS18NG0ZD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQW18 |
LQW18AS18NG0ZD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 18nH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 700mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 3.1GHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 250MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS18NG0ZD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQW18AS18NG0ZD-FT |
LQW18AN4N1B8ZD
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel