maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LQW18AN11NG8ZD
Référence fabricant | LQW18AN11NG8ZD |
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Numéro de pièce future | FT-LQW18AN11NG8ZD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQW18 |
LQW18AN11NG8ZD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 11nH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 1.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 52 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 4.75GHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN11NG8ZD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQW18AN11NG8ZD-FT |
LQW18ANR13G00D
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel