maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LQW15AN8N9J80D
Référence fabricant | LQW15AN8N9J80D |
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Numéro de pièce future | FT-LQW15AN8N9J80D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQW15 |
LQW15AN8N9J80D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 8.9nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 1.42A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 31 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6.5GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.024" (0.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN8N9J80D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQW15AN8N9J80D-FT |
LQW15AN6N4G8ZD
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Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
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LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
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Intel
EP4SGX530HH35C3NES
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XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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