maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LQW15AN4N0B8ZD
Référence fabricant | LQW15AN4N0B8ZD |
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Numéro de pièce future | FT-LQW15AN4N0B8ZD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQW15 |
LQW15AN4N0B8ZD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 4nH |
Tolérance | ±0.1nH |
Note actuelle | 1.95A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 10GHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.024" (0.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN4N0B8ZD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQW15AN4N0B8ZD-FT |
LQW15AN2N7D8ZD
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel