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Référence fabricant | LQP02HQ2N1B02E |
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Numéro de pièce future | FT-LQP02HQ2N1B02E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQP02 |
LQP02HQ2N1B02E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 2.1nH |
Tolérance | ±0.1nH |
Note actuelle | 650mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 14 @ 500MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 11.5GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 500MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 01005 (0402 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.013" (0.32mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQP02HQ2N1B02E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQP02HQ2N1B02E-FT |
LQP02HQ0N8W02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ0N9B02E
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10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
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