maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LQM21PNR47MG0D
Référence fabricant | LQM21PNR47MG0D |
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Numéro de pièce future | FT-LQM21PNR47MG0D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQM21 |
LQM21PNR47MG0D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 94 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM21PNR47MG0D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQM21PNR47MG0D-FT |
DFE201612P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-1R0M=P2
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DFE201612R-H-1R5M=P2
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DFE201612R-H-2R2M=P2
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DFE252010P-1R0M=P2
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DFE252010P-1R2M=P2
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DFE252010P-R33M=P2
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DFE252010P-R68M=P2
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DFE252010R-H-1R0M=P2
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
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Intel
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Intel
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Intel
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