maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LQM18PN2R2MGHD
Référence fabricant | LQM18PN2R2MGHD |
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Numéro de pièce future | FT-LQM18PN2R2MGHD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQM18 |
LQM18PN2R2MGHD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.05A |
Courant - Saturation | 250mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 70MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.394" (10.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM18PN2R2MGHD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQM18PN2R2MGHD-FT |
DFE201210U-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201210U-1R5M=P2
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DFE201210U-R24M=P2
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DFE201210U-R33M=P2
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DFE201210U-R47M=P2
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DFE201210U-R68M=P2
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LQM21PN4R7MGRD
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LQM21PN4R7NGRD
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LQM21PN1R0NGRD
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LQM21PN2R2MGHL
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XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation