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Référence fabricant | LQH3NPZ1R0MGRL |
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Numéro de pièce future | FT-LQH3NPZ1R0MGRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQH3 |
LQH3NPZ1R0MGRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.08A |
Courant - Saturation | 1.7A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 74.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1212 (3030 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1212 (3030 Metric) |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQH3NPZ1R0MGRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQH3NPZ1R0MGRL-FT |
LQM2MPN1R0MEHL
Murata Electronics North America
LQM2MPN1R0MGHL
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LQM2MPN1R5MEHL
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XC3S1200E-4FT256C
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XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
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EP4CGX110DF27I7
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EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel