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Référence fabricant | LQH3NPZ100MJRL |
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Numéro de pièce future | FT-LQH3NPZ100MJRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQH3 |
LQH3NPZ100MJRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 810mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 288 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 30MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1212 (3030 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1212 |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQH3NPZ100MJRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQH3NPZ100MJRL-FT |
LEM2520T2R2J
Taiyo Yuden
LEM2520T2R7J
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LEM2520T330J
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LEM2520T47NJ
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
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AX1000-FG676
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