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Référence fabricant | LQG18HN3N3S00D |
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Numéro de pièce future | FT-LQG18HN3N3S00D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQG18 |
LQG18HN3N3S00D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Air |
Inductance | 3.3nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN3N3S00D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQG18HN3N3S00D-FT |
DFE201612PD-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R0M=P2
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DFE252008C-1R5M=P2
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DFE252008C-2R2M=P2
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DFE252008C-3R3M=P2
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DFE252008C-4R7M=P2
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DFE252008C-R47M=P2
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LQM2HPN1R0MEHL
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LQM2HPN1R5MEHL
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LQM2HPN2R2MEHL
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel