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Référence fabricant | LQG18HN2N7S00D |
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Numéro de pièce future | FT-LQG18HN2N7S00D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQG18 |
LQG18HN2N7S00D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Air |
Inductance | 2.7nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN2N7S00D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQG18HN2N7S00D-FT |
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
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DFE252008C-1R0M=P2
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DFE252008C-1R5M=P2
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DFE252008C-2R2M=P2
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DFE252008C-4R7M=P2
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DFE252008C-R47M=P2
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LQM2HPN1R0MEHL
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LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel