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Référence fabricant | LQG18HN2N7S00D |
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Numéro de pièce future | FT-LQG18HN2N7S00D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LQG18 |
LQG18HN2N7S00D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Air |
Inductance | 2.7nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.037" (0.95mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN2N7S00D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LQG18HN2N7S00D-FT |
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
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DFE252008C-1R0M=P2
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DFE252008C-1R5M=P2
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DFE252008C-4R7M=P2
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DFE252008C-R47M=P2
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LQM2HPN1R0MEHL
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
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5SGXEABK1H40C2N
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LFE2M35E-5F672C
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LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel