maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / LPWI201610S2R2T
Référence fabricant | LPWI201610S2R2T |
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Numéro de pièce future | FT-LPWI201610S2R2T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LPWI |
LPWI201610S2R2T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.7A |
Courant - Saturation | 1.5A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610S2R2T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LPWI201610S2R2T-FT |
LQP02HQ3N0B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02E
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XC4005XL-2TQ144C
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XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel