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Référence fabricant | LP681M200E5P3 |
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Numéro de pièce future | FT-LP681M200E5P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LP |
LP681M200E5P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 680µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 200V |
ESR (résistance série équivalente) | 370 mOhm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.51A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 2.114A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.394" (10.00mm) |
Taille / Dimension | 1.181" Dia (30.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.378" (35.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can - Snap-In |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LP681M200E5P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LP681M200E5P3-FT |
LPW152M1JP25V-W
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
LPW153M1AP25V-W
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LPW103M1AO25V-W
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP4CE40F23C9LN
Intel
5SGXMA4K3F35C2N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C4
Intel