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Référence fabricant | LNY2V682MSEGBN |
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Numéro de pièce future | FT-LNY2V682MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LNY |
LNY2V682MSEGBN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 6800µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 19.2A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 26.88A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 1.126" (28.60mm) |
Taille / Dimension | 2.500" Dia (63.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 5.039" (128.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - Screw Terminals |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V682MSEGBN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LNY2V682MSEGBN-FT |
LNY2G103MSEJBN
Nichicon
LNY2G122MSEFBB
Nichicon
LNY2G122MSEFBN
Nichicon
LNY2G123MSEHBB
Nichicon
LNY2G123MSEHBN
Nichicon
LNY2G123MSEJBB
Nichicon
LNY2G123MSEJBN
Nichicon
LNY2G152MSEFBB
Nichicon
LNY2G152MSEFBN
Nichicon
LNY2G153MSEJBB
Nichicon
XC4006E-1TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-4
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEABN1F45C2N
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H2F35I3LN
Intel